在单晶衬底上，按照衬底晶向生长一层新的单晶薄膜，被称为外延层，这是半导体器件的制造的材料基础，薄膜制 ...

氧化镓（Ga₂O₃）作为新兴的宽带隙半导体材料，凭借其超高的击穿电场强度、优异的耐高温性能以及出色的 ...

氮化镓（GaN）是一种性能优异的宽禁带半导体材料，因其高电子迁移率、高击穿电压和良好的高温稳定性，被 ...

首先说结论，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速热处理的统称！但不限 ...

引言在集成电路制造过程中，氧化工艺是形成高质量二氧化硅（SiO₂）薄膜的关键步骤。随着技术的不断发展 ...

磁性材料或易受磁场影响的材料或器件，需要处于零磁场中测试。优米体育直播在线观看免费下载可利用磁屏蔽材料实现无磁场干扰下，进 ...

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮化物材料外延生长的核心工艺，在LED、激光二极管等光电器 ...

在MOCVD工艺中，外延薄膜的生长速率与温度存在高度非线性关系，且温度波动会直接影响薄膜的均匀性和结 ...

温度均匀性在光刻工艺中的烘烤固化过程中至关重要，它直接影响光刻胶的固化质量和最终的图案质量。温度曲线 ...

2025年4月26日上午，西安石油大学理学院党委书记席利哲一行莅临光谷薄膜，开展本科人才培养方案调研 ...